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氣流磨在半導體材料氧化鎵中的應用

發(fā)布時(shí)間:2020-10-13

  目前,以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體材料得到了極大地關(guān)注,它們在較大功率、高溫、高壓應用領(lǐng)域所發(fā)揮的作用也不是傳統的硅器件所能比較的。尤其是伴隨著(zhù)新能源、5G等新興高科技領(lǐng)域對高性能半導體材料的要求日益嚴格,第三代半導體材料注定會(huì )進(jìn)一步大放異彩。

  氣流磨作為半導體材料的常用加工設備,想必在這種新型材料氧化鎵的超微粉碎上一定也可以取得較好的效果。氧化鎵在半導體領(lǐng)域的應用并不是一項嶄新的技術(shù),在很多年前就有人對其展開(kāi)了大量的研究,但這種材料原本不是用于功率元件的,最初是計劃用于LED(發(fā)光二極管)基板等而進(jìn)行研發(fā)的。

  氣流磨對物料的超微粉碎,可以提高物料的附加值以及擴大產(chǎn)品的應用范圍。但是這些用途的研發(fā)與應用規模較小,它的一些“特異功能”似乎有些超前,并無(wú)用武之地,再加上它的技術(shù)難度高以及散熱方面問(wèn)題突出,在當時(shí)看來(lái)顯然不如開(kāi)發(fā)碳化硅、氮化鎵等更具有性?xún)r(jià)比。

  而隨著(zhù)應用需求的發(fā)展愈加明朗,未來(lái)對高功率器件的性能要求越來(lái)越高,尤其是對超寬禁帶半導體材料的迫切需求,這使得人們更深切地看到了氧化鎵的優(yōu)勢和前景,相應的研發(fā)工作又多了起來(lái),已成為美國、日本、德國等國家的研究熱點(diǎn)和競爭重點(diǎn)。

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